تعداد ۱ پاسخ غیر تکراری از ۱ پاسخ تکراری در مدت زمان ۶,۱۶ ثانیه یافت شد.

1. Engineering model of III-nitride power heterostructure field effect transistor on silicon substrate

پدیدآورنده : Mohammad Mirwazul Islam

کتابخانه: مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان‌های اروپایی (قم)

موضوع : Electrical engineering,Applied sciences;Bulk current;Current collapse;GaN model;HFET;Power switching

»
1
«

این پایگاه با مشارکت موسسه علمی - فرهنگی دارالحدیث و مرکز تحقیقات کامپیوتری علوم اسلامی (نور) اداره می شود
مسئولیت صحت اطلاعات بر عهده کتابخانه ها و حقوق معنوی اطلاعات نیز متعلق به آنها است