1. Engineering model of III-nitride power heterostructure field effect transistor on silicon substrate

پدیدآورنده:

کتابخانه: مرکز و کتابخانه مطالعات اسلامی به زبان‌های اروپایی (قم)

موضوع: Electrical engineering,Applied sciences;Bulk current;Current collapse;GaN model;HFET;Power switching